![مقاله ترجمه شده تاثیر بایاس کردن بدنه بر اینورتر CMOS مقاله ترجمه شده تاثیر بایاس کردن بدنه بر اینورتر CMOS](https://filinja.com/wp-content/themes/fileinja/assets/img/article-full.png)
مقاله ترجمه شده تاثیر بایاس کردن بدنه بر اینورتر CMOS کد محصول : 970712791
Effect of Body Biasing Over CMOS Inverter
سال انتشار: 2013
نمونه ترجمه چکیده مقاله
سطح آستانه صفر می تواند توسط بایاس کردن بدنه NMOS به دست آید که برای دستگاه سوییچینگ سرعت بالا مناسب می باشد. یک ولتاژ DC اعمال شده بین ترمینال بدنه اینورتر CMOS منجر به جابجایی سطح آستانه و درنتیجه منجر به مصرف توان بالا می شود.
کلمات کلیدی این محصول
کلمات کلیدی فارسی این محصول:
-
مقاله ولتاژ آستانه
-
مقاله اثر بدنه
-
مقاله در مورد ولتاژ آستانه
-
مقاله درباره ولتاژ آستانه
-
مقاله در مورد اثر بدنه
-
مقاله درباره اثر بدنه
-
دانلود مقاله ولتاژ آستانه
-
دانلود مقاله اثر بدنه
-
مقاله بایاس کردن بدنه
کلمات کلیدی انگلیسی:
Threshold Voltage, Body Effect, CMOS Inverter
![](https://filinja.com/wp-content/uploads/2023/12/fiilinja.png)
صفحات فارسی : 10
صفحات انگلیسی : 3
بلافاصله پس از پرداخت، لینک دانلود را مشاهده خواهید کرد.
یک نسخه از لینک دانلود، به ایمیل شما ارسال خواهد شد.