مقاله ترجمه شده تاثیر بایاس کردن بدنه بر اینورتر CMOS کد محصول : 970712791 Effect of Body Biasing Over CMOS Inverter

سال انتشار: 2013


نمونه ترجمه چکیده مقاله

سطح آستانه صفر می ­تواند توسط بایاس کردن بدنه NMOS به دست آید که برای دستگاه سوییچینگ سرعت بالا مناسب می­ باشد. یک ولتاژ DC اعمال شده بین ترمینال بدنه اینورتر CMOS منجر به جابجایی سطح آستانه و درنتیجه منجر به مصرف توان بالا می­ شود.


کلمات کلیدی این محصول

کلمات کلیدی فارسی این محصول:
  • مقاله ولتاژ آستانه
  • مقاله اثر بدنه
  • مقاله در مورد ولتاژ آستانه
  • مقاله درباره ولتاژ آستانه
  • مقاله در مورد اثر بدنه
  • مقاله درباره اثر بدنه
  • دانلود مقاله ولتاژ آستانه
  • دانلود مقاله اثر بدنه
  • مقاله بایاس کردن بدنه
کلمات کلیدی انگلیسی:
Threshold Voltage, Body Effect, CMOS Inverter
صفحات فارسی : 10
صفحات انگلیسی : 3
بلافاصله پس از پرداخت، لینک دانلود را مشاهده خواهید کرد.
یک نسخه از لینک دانلود، به ایمیل شما ارسال خواهد شد.