![مقاله ترجمه شده مقایسه رشد مستقیم و اتصال ویفر برای ساخت سلول های خورشیدی اتصال دوگانه GaInP/GaAs مقاله ترجمه شده مقایسه رشد مستقیم و اتصال ویفر برای ساخت سلول های خورشیدی اتصال دوگانه GaInP/GaAs](https://filinja.com/wp-content/themes/fileinja/assets/img/article-full.png)
مقاله ترجمه شده مقایسه رشد مستقیم و اتصال ویفر برای ساخت سلول های خورشیدی اتصال دوگانه GaInP/GaAs کد محصول : 950813271
Comparison of Direct Growth and Wafer Bonding for the Fabrication of GaInP/GaAs Dual-Junction Solar Cells on Silicon
سال انتشار: 2014
نمونه ترجمه چکیده مقاله
رشد همبافته مستقیم سلول خورشیدی اتصال دوگانه GaInP/GaAs روی بافر GaAsyP1-y روی سیلیکون، بازده خورشیدی 16.4% (AM1.5g) را حاصل کرده است. دررفتگی بافت که از 4% دانه بندی شبکه نتیجه می شود، هنوز محدودیت اصلی برای عملکرد دستگاه است. برعکس، دستگاه های مشابه ساخته شده توسط اتصال ویفر نیمه هادی روی Si غیر غعال نوع n برای دستگاه سلول خورشیدی cm24 به بازده 26% رسیده اند.
کلمات کلیدی این محصول
کلمات کلیدی اصلی این محصول:
-
مقاله هتروجانکشن
-
مقاله سیلیکون
-
مقاله در مورد هتروجانکشن
-
مقاله درباره هتروجانکشن
-
مقاله در مورد سیلیکون
-
مقاله درباره سیلیکون
-
دانلود مقاله هتروجانکشن
-
دانلود مقاله سیلیکون
-
مقاله سلول های خورشیدی
کلمات کلیدی انگلیسی:
Heterojunctions, silicon, wafer bonding, III–V multijunction solar cells.
![](https://filinja.com/wp-content/uploads/2023/12/fiilinja.png)