سال انتشار: 2016

---

چکیده:

در مقاله حاضر تلاش شده است تا تدابیر مربوط به انواع طرح بسته برای همساز نمودن اتصال سری SI-IGBT (6500V/25A die) و SiC-Diode (6500V/25A die) به نمایش درآید. تأثیرات اتصال کاتد دیود سری به کلکتور IGBT در ازای اتصال امیتر (emitter) IGBT به آند دیود سری در خصوص اندوکتانس یا القاگری خط دارای نشتی (پارازیتی-parasitic) این ساختار مورد تحلیل قرارگرفته است. سپس نتایج شبیه‌سازی‌های مختلف برای طراحی مجدد و توجیه ساختار بهینه بسته برای طرح نهایی سوئیچ جریان مورداستفاده قرارگرفته‌اند.

---

کلمات کلیدی این محصول:

کلمات کلیدی اصلی این محصول:

• مقاله سوییچ جریان

• مقاله ترانزیستور دوقطبی

• مقاله در مورد سوییچ جریان

• مقاله درباره سوییچ جریان

• مقاله در مورد ترانزیستور دوقطبی

• مقاله درباره ترانزیستور دوقطبی

• دانلود مقاله سوییچ جریان

• دانلود مقاله ترانزیستور دوقطبی

• مقاله ترانزیستور IGBT

کلمات کلیدی انگلیسی: 

 Wide-Bandgap , Current Switch , High Voltage Series IGBT and Diode , Silicon Carbide , Packaging