سال انتشار: 2014

---

نمونه ترجمه چکیده مقاله

رشد همبافته مستقیم سلول خورشیدی اتصال دوگانه GaInP/GaAs روی بافر GaAsyP1-y روی سیلیکون، بازده خورشیدی 16.4% (AM1.5g) را حاصل کرده است. دررفتگی بافت که از 4% دانه بندی شبکه نتیجه می شود، هنوز محدودیت اصلی برای عملکرد دستگاه است. برعکس، دستگاه های مشابه ساخته شده توسط اتصال ویفر نیمه هادی روی Si غیر غعال نوع n برای دستگاه سلول خورشیدی cm24 به بازده 26% رسیده اند.

---

کلمات کلیدی این محصول

کلمات کلیدی اصلی این محصول:

• مقاله هتروجانکشن

• مقاله سیلیکون

• مقاله در مورد هتروجانکشن

• مقاله درباره هتروجانکشن

• مقاله در مورد سیلیکون

• مقاله درباره سیلیکون

• دانلود مقاله هتروجانکشن

• دانلود مقاله سیلیکون

• مقاله سلول های خورشیدی

کلمات کلیدی انگلیسی:

Heterojunctions, silicon, wafer bonding, III–V multijunction solar cells.