سال انتشار: 2010

---

چکیده:

افزایش مقیاس Vt یا توان نشتی زیر آستانه ای سبب مصرف بخش قابل توجهی از مصرف توان کلی می شود. در کار تحقیقاتی حاضر، سه پیکربندی جدید از تغییر دهنده های سطحی برای برنامه های توان پایین در فناوری پیشنهاد شده است. مدارهای پیشنهادی از معیارهای تکنیک توده ای با جریان نشتی کوچک تر و کاهش توان نشتی استفاده می کنند. تغییر دهنده های سطحی جدید با اضافه کردن سه ترانزیستور NMOS بهبود یافتند که نشان داد مصرف توان کلی است که این مقدار برای مدار موجود است.

---

کلمات کلیدی این محصول

کلمات کلیدی اصلی این محصول:

• مقاله تغییر دهنده سطحی

• مقاله مصرف توان

• مقاله در مورد تغییر دهنده سطحی

• مقاله درباره تغییر دهنده سطحی

• مقاله در مورد مصرف توان

• مقاله درباره مصرف توان

• دانلود مقاله تغییر دهنده سطحی

• دانلود مقاله مصرف توان

• مقاله تکنیک توده ای

کلمات کلیدی انگلیسی:

CMOS , delay , level shifter , power consumption and stacking technique.